![]() ![]() ![]() IEEE Transaction on Computer-Aided Design, 7: 1164. "A physically based mobility model for numerical simulation of nonplanar devices". Model, Equations and Concentration Dependence". "A Unified Mobility Model for Device Simulation I. "Sentarus Structure Editor, Using Guide". Avances en Ciencias e Ingenierías, 5: C1. "Mobility extraction in ultrathin, body buried oxide and fully depleted silicon-on-insulator MOSFET". Avances en Ciencias e Ingenierías, 4: C42. "Ultra-Thin Depleted Silicon on Insulator MOSFET: a simulation based on COMSOL Multiphysics". "Modeling of 10-nm-scale ballistic MOSFET"™s". "Fringing fields in sub-0.1μm FD SOI MOSFETs: Optimization of the device architecture". IEEE Transactions on Electron Devices, 50: 830. "Ultimately Thin Double-Gate SOI MOSFETs". "Silicon on insulator tecnologhies and devices: from present to future". Sin embargo, Sentaurus ofrece características más interesantes como introducir modelos más reales para los mecanismos físicos de dispositivos complejos. Los resultados obtenidos son muy similares entre ambos trabajos. Los resultados fueron comparados con un trabajo previo en el que se usó como simulador al programa COMSOL-Multiphysics. Además, se desarrollaron simulaciones AC para estudiar la capacitancia y carga de inversión. Se desarrollaron simulaciones DC para estudiar el comportamiento del voltaje de encendido y la transconductancia. El software que se usa es TCAD-Sentaurus. En el presente trabajo, se desarrolla un modelo para simular un dispositivo MOSFET de silicio en aislante, ultra delgados con oxido enterrado (20m) y agotados completamente con SiO 2 (5nm) como compuerta. ![]()
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